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薄膜襯底

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硅(Si)

薄膜襯底

    • 主要性能參數(shù)

      晶體結(jié)構(gòu)

      面心立方

      熔點(diǎn)(℃)

      1420

      密度

      2.4(g/cm3

      摻雜物質(zhì)

      不參雜

      B

      P

      類 型

       NP

      P

      N

      電 阻 率

      >1000Ωcm

      10-3~40Ωcm

      102~104Ωcm

      E P D

      ≤100∕cm2

      ≤100∕cm2

      ≤100∕cm2

      氧含量(∕cm3

      ≤1~1.8×1018

      ≤1~1.8×1018

      ≤1~1.8×1018

      碳含量(∕cm3

      ≤5×1016

      ≤5×1016

      ≤5×1016

      尺寸

      10×10mm、15×15mm、Dia50.8mmDia76.2mm、Dia100mm

      可按照客戶需求,定制特殊方向和尺寸的基片

      厚度

      0.3-0.5mm、1.0mm

      尺寸公差

      <±0.1mm

      厚度公差

      <±0.015mm特殊要求可達(dá)到<±0.005mm)

      拋光

      單面或雙面

      晶面定向精度

      ±0.5°

      邊緣定向精度

      LOGO

      合肥合瑞達(dá)光電材料有限公司面向科研院所及相關(guān)研究單位提供數(shù)十種高品質(zhì)的單晶及薄膜基片,光學(xué)器件,激光晶體和陶瓷基片,以及包括陶瓷靶材、單晶靶材、金屬靶材和合金靶材的各種規(guī)格濺射靶材和鍍膜原料。同時(shí)為各大科研院所及企業(yè)提供光學(xué)材料的定向、切割、研磨、拋光和檢測(cè)服務(wù)。

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