InP單晶基片
InP單晶材料作為最重要的化合物半導(dǎo)體材料之一,是生產(chǎn)光通訊中InP基激光二極管（LD），發(fā)光二極管（LED）和光探測(cè)器等的關(guān)鍵材料，這些器件實(shí)現(xiàn)了光纖通信中信息的發(fā)射、傳播、放大、接受等功能。InP也非常適用于高頻器件，如高電子遷移率晶體管（HEMT）和異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HBT）等方面由于其本身具有的優(yōu)越特性,使其在光纖通信、微波、毫米波、抗輻射太陽(yáng)能電池、異質(zhì)結(jié)晶體管等許多高技術(shù)領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用. InP單晶材料的主要生長(zhǎng)方法，包括傳統(tǒng)液封直拉技術(shù)（LEC）、改進(jìn)的LEC技術(shù)、氣壓控制直拉技術(shù)（VCZ/PC－LEC）/垂直梯度凝固技術(shù)（VGF）/垂直布里奇曼技術(shù)（VB）等。
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晶體 |
結(jié)構(gòu) |
晶向 |
熔點(diǎn)
oC |
密度
g/cm3 |
禁帶寬度 |
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InP |
立方,
a=5.869 A |
<100> |
1600 |
4.79 |
1.344 |
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主要性能參數(shù)
單晶
摻雜
導(dǎo)電
類型
載流子濃度
cm-3
遷移率(cm2/V.s)
位錯(cuò)密度(cm-2)
標(biāo)準(zhǔn)基片
InP
本征
N
(0.4-2)*1016
(3.5-4)*103
5*104
Φ2×0.35mm
Φ3×0.35mm
InP
S
N
(0.8-3)*1018
(4-6)*1018
(2.0-2.4*103
(1.3-1.6*103
3*104
2*103
Φ2×0.35mm
Φ3×0.35mm
InP
Zn
P
(0.6-2)*1018
70-90
2*104
Φ2×0.35mm
Φ3×0.35mm
InP
Fe
N
107-108
³2000
3*104
Φ2×0.35mm
Φ3×0.35mm
尺寸（mm）
Dia50.8x0.35mm,10×10×0.35mm、10×5×0.35mm可按照客戶需求，定制特殊方向和尺寸的襯底
表面粗糙度
Surface roughness(Ra):<=5A
可提供原子粒顯微鏡（AFM）檢測(cè)報(bào)告
拋光
單面或雙面
包裝
100級(jí)潔凈袋，1000級(jí)超凈室