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主要性能參數(shù) | |||
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生長(zhǎng)方法 |
提拉法 | ||
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晶體結(jié)構(gòu) |
立方 | ||
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晶格常數(shù) |
a=5.65754 Å | ||
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密 度 |
5.323g/cm3 | ||
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熔點(diǎn) |
937.4℃ | ||
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摻雜物質(zhì) |
不摻雜 |
摻Sb |
摻Ga |
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類型 |
/ |
N |
P |
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電阻率 |
＞35Ωcm |
0.01~10Ωcm |
0.01~10Ωcm |
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EPD |
＜4×103∕cm2 |
＜4×103∕cm2 |
＜4×103∕cm2 |
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尺寸 |
10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20， | ||
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Dia4",Dia3";Dia2”;或按照客戶要求劃片 | |||
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厚度 |
0.5mm，1.0mm | ||
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拋光 |
單面或雙面 | ||
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晶向 |
<100>、<110>、<111>、±0.5º | ||
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晶面定向精度: |
±0.5° | ||
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邊緣定向精度: |
2°（特殊要求可達(dá)1°以內(nèi)） | ||
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斜切晶片 |
可按特定需求，加工邊緣取向的晶面按特定角度傾斜（傾斜角1°－45°）的晶片 | ||
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Ra: |
≤5Å（5µm×5µm） | ||
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包裝 |
100級(jí)潔凈袋，1000級(jí)超凈室 | ||