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功能晶體

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二氧化硅(SiO2)

功能晶體

主要性能參數(shù)
生長(zhǎng)方法
水熱法
晶體結(jié)構(gòu)
六方
晶格常數(shù)
a=4.914Å    c=5.405 Å
熔點(diǎn)(℃)
1610℃(相轉(zhuǎn)變點(diǎn):573.1℃)
密度
2.684g/cm3
硬度
7(mohs)
熱熔
0.18cal/gm
熱導(dǎo)率
0.0033cal/cm℃
熱電常數(shù)
1200uv/℃(300℃)
折射率
1.544
熱膨脹系數(shù)
α11:13.71×106/ ℃ α33:7.48×106 /℃
Q值
1.8×106 min
聲速、聲表級(jí)
3160(m/sec)
頻率常數(shù)
1661(kHz/mm)
壓電偶合
K2(%) BAW: 0.65 SAW: 0.14
晶向
Y、X或Z切,在30º~42.75 º ±5分范圍內(nèi)旋轉(zhuǎn)任意值
主定位邊:根據(jù)客戶要求定方向±30分
次定位邊:根據(jù)客戶要求定方向
籽 晶:位于中心,寬度<5mm,高度>66mm
拋光面
外延拋光:?jiǎn)螔伝螂p拋Ra<10Å
工作區(qū)域:基片直徑-3mm
彎 曲 度:Φ3″<20um,Φ4″<30um
工作區(qū)域無(wú)崩邊,在邊緣,崩邊寬度<0.5mm
坑和劃痕:每片<3,每100片<20
標(biāo)準(zhǔn)厚度
0.5mm±0.05mm TTV<5um
標(biāo)準(zhǔn)直徑
Φ2″(50.8mm)、Φ3″(76.2mm)、Φ4″(100mm)±0.2mm
主定位邊:22±1.5mm (Φ3″) 32±3.0 (Φ4″)
次定位邊:10mm±1.5mm