CdWO4單晶是具有良好的綜合閃爍性能的單斜晶系，屬于鎢鐵礦型結(jié)構(gòu)。與其他無機(jī)閃爍晶體相比，CdWO4單晶體具有較高的發(fā)光效率，較短的余輝時間，較大的X射線吸收系數(shù)，較強(qiáng)的抗輻射損傷性，較高的材料密度以及沒有吸濕性。CdWO4晶體是核儀器檢測，γ相機(jī)，XCT斷層掃描成像儀和其他光電檢測設(shè)備的核心組件。CdWO4晶體的廣泛應(yīng)用大大提高了醫(yī)用XCT的工作性能和安全設(shè)備的效率。因此已廣泛用于核醫(yī)學(xué)成像，安全檢查，工業(yè)計算機(jī)斷層掃描（CT），石油測井，高能物理等技術(shù)領(lǐng)域，尤其是在醫(yī)學(xué)X射線領(lǐng)域 CT，集裝箱檢查系統(tǒng)具有非常重要的應(yīng)用。
主要性能參數(shù) | |
晶體結(jié)構(gòu) | 單斜結(jié)構(gòu) |
晶格常數(shù) | a=5.029 ?；b=5.859 ?；c=5.074 ? α=γ=90°，β=91.47° |
密 度 | 7.9g/cm3 |
熔點(diǎn) | 1325℃ |
莫氏硬度 | 4-4.5 |
熱膨脹系數(shù) | 6.39×10-6/k @<010> |
折射率 | 2.3 @633nm (室溫) |
透過范圍 | 0.25～5 μm |
尺寸 （mm） | 10x10，15x15，20x15，20x20， |
厚度 | 0.5mm，1.0mm |
拋光 | 單面或雙面 |
晶向 | <010>, <001> |
晶面定向精度: | ±0.5° |
邊緣定向精度: | 2°（特殊要求可達(dá)1°以內(nèi)） |
斜切晶片 | 可按特定需求，加工邊緣取向的晶面按特定角度傾斜（傾斜角1°－45°）的晶片 |
Ra: | ≤5?（5μm×5μm） |
包裝 | 100級潔凈袋，1000級超凈室 |